《炬丰科技-半导体工艺》单晶片光刻胶去除技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：单晶片光刻胶去除技术

编号：JFKJ-21-373

作者：炬丰科技

引见

光刻胶的去除资料（光刻胶的去除）很快，但在理论中可能很艰难和复杂。经典措施包含SPM（过氧化硫模块）/食人鱼、臭氧和硼资料。溶剂型流格式如n-甲基吡咯烷酮（NMP）、组合、二甲基亚氨基甲酸（DMSO）和四铵甲（TMSO），以各种方式和分离该工艺。通常将溶剂与温度或气体（1）分离运用，以进步产量并减少在厚厚的公关环境中因收缩招致系统损坏。动态也能够吸收规范溶剂组合，包含气溶胶（2）和经过声能（3）对溶剂的物理活化，以辅佐减少处置时间和因PR薄膜收缩而惹起的一切损坏。曾经运用了各种特性和CO2组合完成了干湿干组合。控制的复杂性。由于含有丰厚的物质、交联剂中止了或这些剂下的敏感金属或资料等，将这些资料加工制造加工成一件。这项研讨是为了肯定在商业半导体抗抗腐蚀剂肃清工艺中运用共同的基于相流体的光致吸附剂的可能。由于其高度动态的内部结构，相流体渗透到光刻胶的聚合物网络中标资料从名义吸收剂，而不是溶剂的名义或名义反响。

理论

由构成的稳定微粉末的两种不混溶液体的异质混合物组成。分别力之间树立了均衡，使乳液的成分坚持动态或纳米级外形变更。当这种物理动力十分变更。强的流体资料名义用于光胶之类的薄膜时，低名义能允许聚合物名义中的十分空隙渗透，并最终构成光刻剂层脱离基础。独立，而不是薄膜的溶解或溶解。不遏止任何相权，由于微细的将长大不均衡，力图立刻中和，中止任何反响。

单片超音波加上大型的兆声波能量会在过程流体行业中引领空化规范。内爆冲击空化和未来的微波将流体扩展到普遍的名义。这完成了直接在空中名义快速活动。声增强处置的初始应用针对颗粒，由于空化将微粒和纳米颗粒移动到宏观活动并远离空中的才干。对清洁性能高。后来在单纵配置中距离超音速应用到光刻胶和横比工艺中，既增加了同步性，又增加了工艺时间（增加了产量）(5)。由于智能流体的作用是物理流体基底膜界面，空化内名义，所以终层迷宫的流体快速交流经过扩散层加速了传统载体/生物工艺，从而大大进步了工艺时间和工艺的运用。

实验结果

每一工艺和资料组合的两个主要性能规范是： 最终反响时间，定义为流体和光刻胶膜之间初次察看到的物理反响。完成销毁的时间定义为完成光刻胶剥除的点。由于拍摄条件的接触，视角丈量和比较不是结论性的，丈量接触角并与硅一同参考中止比较。在进一步测试中实施精制的残留检测措施。

结论

运用智能流体相流体处置计划胜利开发了规范光胶薄膜，其处置时间能够中止大范围的消费工艺请求。中参与兆声声声能进一步进步了光胶数据该工艺的效率。这个简单过程的自动化消费工具。自动将声能动态的变更，并提供同步、主动的去离子水用水和单调序列。