秒杀三星！传台积电3nm良率高达80%！

在三星宣布量产3nm GAA工艺半年之后，2022年12月29日，晶圆代工龙头台积电正式在南部科学园区晶圆18 厂新建工程基地举行了3nm（N3）量产暨扩厂仪式，宣布其3nm正式量产。但是台积电并未发布其3nm的良率，仅表示目前其3nm良率与5nm量产同期相当。

依据接受Business Next采访的特地从事半导体的剖析师和专家估量，目前台积电的3nm良率可能低至60%至70%，也可能高达75%至80%，这关于刚刚量产的3nm工艺来说是相当不错的。与此同时，金融剖析师Dan Nystedt也在推特上表示，台积电目前的3nm良率与5nm良率在其上升初期相似，据媒体报道，其良率可能高达80%。

相比之下，此前的报道显现，三星晶圆代工业务在早期阶段的3nm（3GAE）的良率则只需10%到20%不等，并且没有明显改善。当然，三星的3nm是基于全新的GAA架构，而台积电则依然是基于FinFet技术，相比之下前者难度更高。

固然估量差别很大，但台积电目前的N3良率有几点需求留意。首先，我们不知道这个数据能否计算的是经过台积电Fab 18的商用晶圆的良率，或者计算包含台积电客户各种IP的商用和测试晶圆的良率。其次，除了台积电及其客户之外，目前没有人知道商用或测试晶圆的确切良率。第三，假如我们只思索商用晶圆，目前台积电的N3用于为早期采用者中止十分有限的设计，固然这是基于市场风闻。

需求指出的是，台积电倾向于依据苹果公司（其最大的客户和前沿节点的阿尔法客户）的请求来开发其抢先的消费技术，并且苹果依据台积电的才干量身定制其设计，因而初始良率可能高达80%也就缺乏为奇了。爆料显现，A17 Bionic以及苹果M2 Pro和M2 Max等芯片都是采用台积电3nm工艺。但是，关于为大众市场产品提供代工效劳的3nm初始良率来说，60%的良率可能并不高。

台积电表示，其3nm制程技术性能、功耗及面积(PPA) 及晶体管体技术为业界最先进半导体逻辑制程技术，是继5nm(N5) 制程后另一个全新世代制程。相较N5 制程，3nm逻辑密度增加约60%，或相同速度下功耗降低30%~35%，并支持创新的TSMC FINFLEXTM 架构。

无论如何，由于台积电商业消费的N3设计数量有限（估量它简直不超越三个IC），并且与产量相关的数据是代工厂及其客户妥善保存的商业秘密，外界无法对台积电N3的实践良率有多高或多低做出任何判别。

事实上，出于同样的缘由，也很难将台积电的N3产量与三星代工早期阶段的3GAE产量中止比较。

此外，苹果可能是唯逐一家采用台积电N3制程技术的公司，由于其他客户可能将运用具有进一步改进后的N3E。同时，早期的N3良率可能不适用于N3E（及其N3技术系列的其他节点），这种工艺技术实践上是整个行业应该关怀的事情，由于它将被普遍运用。

现代半导体消费技术包含数千个工艺步骤，取决于资料、运用的晶圆厂设备工具、工艺配方和许多其他要素。因而，可能有数千种措施能够进步或降低产量，这就是为什么对一个要素如何影响其他要素有十分深化的了解很重要的缘由。由于台积电的N3（N3B），N3E，N3S，N3P和N3X是十分不同的制造技术，早期的N3的高良率关于其他N3系列节点是好兆头，但它们并不能保障其他节点会同样胜利（或不胜利）。

编辑：芯智讯-浪客剑