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金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为“具有多个再分布层的半导体封装及其制造同样的方法”的专利，公开号 CN 119181700 A，申请日期为2024年6月。 专利摘要显示，一种半导体封装，包括两个或多个芯片、第一模制层、第二模制层、三模制层、四模制层、底部再分布层（RDL）、中间RDL和顶部RDL。所述两个或多个芯片包括第一芯片和第二芯片。顶部RDL包括第一铜板和第二铜板。多个通孔将第二铜板电连接到第二芯片。一种方法，包括制备两个或多个芯 片的步骤；形成芯片级模制层；形成中间RDL；形成下层模制层；形成底部RDL；形成最低级别的模制层；形成顶部RDL；以及形成顶层模制层，以便制造半导体封装。 本文源自金融界 |
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